浙江迈创微电子技术有限公司在浙江省杭州市临安区青山湖科技城投资建设有一个国内先进的新型高端芯片研发中试基地。中试基地采用12英寸、28纳米集成电路制造工艺，引进浸没式光刻机、金属物理气相沉积和透射电子显微镜等设备，致力于建设成为国内领先、国际一流，集研发和产业化于一体的微纳技术研发中试线。主要面向国内从事与微纳技术相关的企业、高校和科研院所，提供新型存储器、新一代图像传感器等产品从技术研发到中试生产的服务。

本中试线具有以下特点：

1.     完备性。中试线集成了基于先进光刻工艺的芯片研发的整体设备，实现了从基片到成品的工艺完整性，拥有常规和个性化的检测设备，适合于新型集成化电子器件的研发。

2.     先进性。中试线可以实现28纳米线宽的器件光刻，是国内最先进的微电子特色工艺加工中试线。

3.     独特性与唯一性。中试线是国内唯一、国际上也为数不多的同时具备研发与加工微电子半导体器件、自旋电子器件、传感器等器件的技术平台。

4.     具有产品试制和小批量生产供货的能力。中试线可以进行新型器件的研发，也可以在器件研发成功的基础上进行中试和小批量生产，为大批量生产奠定基础，可以缩短从研发到量产的进程。

5.     具备中试和规模化量产的无缝连接。中试线具有跟量产线无缝对接的设计、厂房、设备等，可以缩短中试转量产的时间，减少转移的技术风险。